IGBT發(fā)生短路時(shí)，電流上升至4倍額定電流以上，終IGBT是要將這個(gè)電流關(guān)斷掉的，這時(shí)的電流的數(shù)值比平常變流器額定工作時(shí)的電流高了很多，所以此時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰也是非常高的。為了防止電壓尖峰損壞IGBT，還需要引入我們昨天聊過的電路——有源鉗位電路，但并不是所有的驅(qū)動(dòng)電路都需要配備有源鉗位功能，容量比較大的IGBT，就比較有必要配置此電路。對于小功率IGBT模塊，通常采用直接串電阻的方法來檢測器件輸出電流，從而判斷過電流故障，通過電阻檢測時(shí)，無延遲；輸出電路簡單；成本低；但檢測電路與主電路不隔離，檢測電阻上有功耗，因此，只適合小功率IGBT模塊。比如：5.5KW以下的變頻器。器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。igbt和mosfet的區(qū)別
回顧功率器件過去幾十年的發(fā)展，1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO，該時(shí)段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很?。浑娏骺刂?，控制電路復(fù)雜且功耗大；1970年代單極型器件VD-MOSFET。但隨著終端應(yīng)用的需求，需要一種新功率器件能同時(shí)滿足：驅(qū)動(dòng)電路簡單,以降低成本與開關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低，以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來的研究，導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明。開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下，IGBT每次開關(guān)都會產(chǎn)生一定的損耗，開通損耗是Eon，關(guān)斷損耗是Eoff，還有二極管反向恢復(fù)也有損耗Erec。IGBT的開關(guān)頻率越高，開關(guān)次數(shù)就越多，損耗功率就也高，那乘以散熱器的熱阻后，IGBT的溫升也越高，如果溫度高到超出了IGBT的上限，那IGBT就失效了。
igbt結(jié)構(gòu)IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的作用對整個(gè)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來說至關(guān)重要。
IGBT是什么。全名叫 -- 絕緣柵雙極性晶體管，是當(dāng)今社會比較新型也是利用比較的功率電子元器件。它的作用是將整流后的直流電再變成中頻交流電，應(yīng)用，電磁爐，變頻空調(diào)，逆變電焊機(jī)等等很多的電源中。絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，因此，可。絕緣柵雙極性晶體管，大功率模塊。在IC處于飽和狀態(tài)時(shí)，可以降低導(dǎo)通期間從P+基片注入的空穴數(shù)量的百分比，把導(dǎo)通損耗定義成功率損耗是可行的，集電極電流引起以下問題，Rg值對功耗的。
IGBT模塊應(yīng)用范圍十分，不僅是電動(dòng)汽車及充電樁等設(shè)備的技術(shù)部件，廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端，也已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。就新能源車來說，IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。由于IGBT器件處在電力產(chǎn)品的位置，產(chǎn)品在惡劣運(yùn)行環(huán)境與極端工況下，客戶除了對器件的開關(guān)性能關(guān)注外，還對器件的安全工作區(qū)和長期可靠性要求極高。頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率。
IGBT絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為1500V的高壓變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅(qū)動(dòng)電壓電流，設(shè)置結(jié)電容釋放 回路等）。但是為了防止關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通，因?yàn)橐粋€(gè)橋臂未完全關(guān)斷，而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài)，直通炸模塊后后果非常嚴(yán)重（比較好的結(jié)果是過 熱）。IGBT是怎么個(gè)意思？IGBT的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)實(shí)際上應(yīng)與MOSFET的相同。igbt驅(qū)動(dòng)板 驅(qū)動(dòng)
絕緣柵雙極型晶體管在大家熟悉的電動(dòng)汽車上就有大量運(yùn)用。igbt和mosfet的區(qū)別
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體細(xì)分為功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成電路的一支）。理想情況下，完美的轉(zhuǎn)化器在打開的時(shí)候沒有任何電壓損失，在開閉轉(zhuǎn)換的時(shí)候沒有任何的功率損耗，因此功率半導(dǎo)體這個(gè)領(lǐng)域的產(chǎn)品和技術(shù)創(chuàng)新，其目標(biāo)都是為了提高能量轉(zhuǎn)化效率。功率分立器件的演進(jìn)路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品。igbt和mosfet的區(qū)別
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