本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細(xì)芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中，產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少，刻蝕效率高且使用壽命較長的特點(diǎn)。大部分過氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過氧化氫組分、參與溶解的無機(jī)酸/有機(jī)酸組分，以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應(yīng)為放熱反應(yīng)，體系中又含有過氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：1、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明：在0~82g/L時，蝕刻時間長；在82~120g/L時，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時，蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定；在165~225g/L時，溶液不穩(wěn)定，趨向于產(chǎn)生沉淀。2、氯化銨含量的影響：通過蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出：[Cu（NH3）2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu（NH3）2]+得不到再生，蝕刻速率就會降低，以致失去蝕刻能力。所以，氯化銨的含量對蝕刻速率...

所述制備裝置主體的內(nèi)部中間部位活動連接有高效攪拌裝置，所述制備裝置主體的一側(cè)中間部位嵌入連接有翻折觀察板，所述制備裝置主體的底端固定連接有裝置底座，所述裝置底座的內(nèi)部底部固定連接有成品罐，所述裝置底座的頂端一側(cè)固定連接有鹽酸裝罐，所述裝置底座的頂端另一側(cè)固定連接有硝酸裝罐，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部中間部位活動連接有旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部兩側(cè)活動連接有震蕩彈簧件，所述震蕩彈簧件的頂端固定連接有運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，所述運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組的頂端電性連接有控制面板，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部中間部位固定連接有致密防腐桿，所述致密防腐桿的內(nèi)部內(nèi)側(cè)貫穿連接有攪動孔，所述鹽酸裝罐的內(nèi)部一側(cè)嵌入連接有...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異常現(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險等主要優(yōu)勢。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程；由上述的說明，擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程，故仍舊會有少量的藥液51噴灑...

且過濾部件能將內(nèi)部的過濾板進(jìn)行拆卸更換，有效的提高了裝置連接安裝的便利性。2.高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，連接構(gòu)件，連接構(gòu)件設(shè)置在攪拌倉的底部，連接構(gòu)件與攪拌倉固定連接，連接構(gòu)件能將裝置主體內(nèi)部的兩個構(gòu)件進(jìn)行連接并固定，且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或拆卸的時候，不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作，有效的提高了裝置連接的實(shí)用性。附圖說明圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的過濾部件剖視圖；圖3為本實(shí)用新型的連接構(gòu)件剖視圖；圖4為本實(shí)用新型的內(nèi)部構(gòu)件連接框架圖。圖中：1、裝置主體，2、支撐腿，3、電源線，4、單片機(jī)，5、控制器，6、防滑紋，7、密封閥門(z45x-16...

本實(shí)用涉及蝕刻設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種ito蝕刻液制備裝置。背景技術(shù)：蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)，蝕刻技術(shù)分為濕蝕刻和干蝕刻，其中，濕蝕刻是采用化學(xué)試劑，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)達(dá)到蝕刻的目的，薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器(tft～lcd)、發(fā)光二極管(led)、有機(jī)發(fā)光二極管(oled)等行業(yè)用作面板過程中銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜(ito)的蝕刻通常采用鹽酸和硝酸的混合水溶液?，F(xiàn)有的制備裝置在進(jìn)行制備時會發(fā)***熱反應(yīng)，使得裝置外殼穩(wěn)定較高，工作人員直接接觸有燙傷風(fēng)險，熱水與鹽酸接觸會產(chǎn)生較為劇烈的反應(yīng)，濺出容易傷害工作人員，保護(hù)性不足，鹽酸硝酸具有較強(qiáng)的腐蝕性，常規(guī)的攪...

當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板20上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會往該復(fù)數(shù)個宣泄孔121流動，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題；此外，為了避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題，因此，該復(fù)數(shù)個宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小，例如：孔徑a0小于3mm，即可因毛細(xì)現(xiàn)象的作用，亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內(nèi)的夾角θ等于該水滴與...

從蝕刻速度及安全性的觀點(diǎn)來看，推薦為40℃至70℃，更推薦為45℃至55℃。處理時間視對象物的表面狀態(tài)及形狀等而變化，通常為30秒至120秒左右。實(shí)施例然后，對本發(fā)明的實(shí)施例與比較例一起進(jìn)行說明。此外，本發(fā)明并非限定于下述實(shí)施例而解釋。制備表1及表2所示的組成的各蝕刻液，在下述條件下進(jìn)行蝕刻試驗(yàn)及蝕刻液的穩(wěn)定性試驗(yàn)。此外，表1及表2所示的組成的各蝕刻液中，剩余部分為離子交換水。另外，表1及表2所示的鹽酸的濃度為以氯化氫計的濃度。(蝕刻試驗(yàn))通過濺鍍法在樹脂上形成50nm的鈦膜，然后成膜200nm的銅膜，進(jìn)而通過電鍍銅在該銅膜上形成圖案，將所得的基板用作試樣。使用銅的蝕刻液，將試樣的濺鍍...

所述制備裝置主體的內(nèi)部中間部位活動連接有高效攪拌裝置，所述制備裝置主體的一側(cè)中間部位嵌入連接有翻折觀察板，所述制備裝置主體的底端固定連接有裝置底座，所述裝置底座的內(nèi)部底部固定連接有成品罐，所述裝置底座的頂端一側(cè)固定連接有鹽酸裝罐，所述裝置底座的頂端另一側(cè)固定連接有硝酸裝罐，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部中間部位活動連接有旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部兩側(cè)活動連接有震蕩彈簧件，所述震蕩彈簧件的頂端固定連接有運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，所述運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組的頂端電性連接有控制面板，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部中間部位固定連接有致密防腐桿，所述致密防腐桿的內(nèi)部內(nèi)側(cè)貫穿連接有攪動孔，所述鹽酸裝罐的內(nèi)部一側(cè)嵌入連接有...

內(nèi)嵌觀察窗402通過觀察窗翻折滾輪401內(nèi)嵌入裝置內(nèi)部，工作人員可通過內(nèi)嵌的透明窗對內(nèi)部的制備狀況進(jìn)行實(shí)時查看，從而很好的體現(xiàn)了該裝置的實(shí)時性。推薦的，鹽酸裝罐7的頂端嵌入連接有熱水流入漏斗9，在進(jìn)行制備時需要向鹽酸裝罐7內(nèi)倒入一定比例的熱水進(jìn)行均勻調(diào)和，由于熱水與鹽酸接觸會產(chǎn)生較為劇烈的反應(yīng)，濺出容易傷害工作人員，通過設(shè)置熱水流入漏斗9，工作人員可沿著熱水流入漏斗9將熱水緩緩倒入鹽酸內(nèi)，從而很好的減小了發(fā)生反應(yīng)的劇烈程度，很好的起到了保護(hù)作用。推薦的，裝置底座5的內(nèi)部兩側(cè)緊密焊接有加固支架10，由于制備裝置為一體化裝置，承載設(shè)備較多，質(zhì)量較重，對底座會產(chǎn)生較大的壓力，通過設(shè)置加固支架...

上述硅烷系偶聯(lián)劑的選擇方法的特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)形態(tài)的分子量之后乘以。以下，通過實(shí)施例更加詳細(xì)地說明本發(fā)明。但是，以下的實(shí)施例用于更加具體地說明本發(fā)明，本發(fā)明的范圍并不受以下實(shí)施例的限定。實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物的制造參照以下表1(重量％)，制造實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物。[表1]參照以下表2和圖5，利用實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物，對于包含作為氧化物膜sio2和作為上述氧化物膜上的氮化物膜sin的膜的、總厚度的膜進(jìn)行如下處理。在160℃用硅烷系偶聯(lián)劑％對上述膜處理10,000秒的...

銅蝕刻液適用于印制版銅的蝕刻，蝕刻速度快。蝕刻速度達(dá)4~5um/min。廢液回收簡單，用于印制板，線路板。本劑也可用于銅工藝品等的蝕刻。蝕刻后的板面平整而光亮。銅蝕刻液的反應(yīng)速度快、使用溫度低、溶液使用壽命長，后處理容易，對環(huán)境污染小。用于銅質(zhì)單面板，雙面板、首飾蝕刻，可以蝕刻出任意精美的形態(tài)，有效提高蝕刻速度，節(jié)約人工水電。常常應(yīng)用于印刷線路板銅的蝕刻處理 1、蝕刻速度快，效率高。使用方便。蝕刻速度可達(dá)10微米/分鐘。2、可循環(huán)使用，無廢液排放。 1、藍(lán)色透明液體，有氣味。2、比重：1.10~1.13。3、PH值：10~11.0。 1、采用浸泡的方法即可，浸泡過程中要攪...

該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其主要特征在于：該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個貫穿該第二擋板12且錯位設(shè)置的宣泄孔121。該***擋板11與該第二擋板12呈正交設(shè)置，且該第二擋板12與該第三擋板13呈正交設(shè)置，以使該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13圍設(shè)成一凹槽的態(tài)樣，在一實(shí)施例中，該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13可以為一體成形，其中該第二擋板12的長度h介于10cm至15cm之間，而該等開設(shè)于該第二擋板12上的宣泄孔121可呈千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列的態(tài)樣，且該宣...

以及一設(shè)置于基板下方的第二風(fēng)刀，其中***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀分別吹出一氣體至基板。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中蝕刻設(shè)備可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置，噴灑裝置相對于風(fēng)刀裝置一端而設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)的另一端部。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中噴灑裝置噴灑一藥液至基板上。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中擋液板結(jié)構(gòu)與基板的垂直距離介于8mm至15mm之間。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中滾輪呈順時針方向轉(zhuǎn)動，并帶動基板由噴灑裝置下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀下端部的方向移動。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中氣體遠(yuǎn)離***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀的方向分別與基板的法線方向夾設(shè)有一第三夾角。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中第三夾角介于20度至35度之間。再者，...

本發(fā)明涉及一種用來在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術(shù)：以往，在蝕刻鈦時一直使用含有氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻(xiàn)1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由10重量％至40重量％的過氧化氫、％至5重量％的磷酸、％至％的膦酸系化合物及氨所構(gòu)成的水溶液將pH值調(diào)整為7至9。但是，含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問題，含有過氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩(wěn)定性的問題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特許第4471094號說明書。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的問題本發(fā)明是鑒于所述實(shí)際情況而成，其目的在于...

銀蝕刻液主要用于印刷線路板制造，銀器及銀合金的蝕刻、標(biāo)牌制作。二、突出特點(diǎn)1．蝕刻速度快，效率高。使用方便。蝕刻最高速度可達(dá)2000納米/秒。2．可循環(huán)使用，無廢液排放。三、理化指標(biāo)外觀：液體；氣味：微；比重：1.05±0.1；pH：偏堿性四、使用方法1．預(yù)處理：如銀或銅合金表面不潔凈，需對表面進(jìn)行潔凈處理，如除油、除雜等。2．蝕刻：(1).將圖案模板紙粘附于銀板或銀器上，再將銀蝕刻液用噴淋設(shè)備噴于圖案處，時間1分鐘到幾十分鐘不定（用戶可根據(jù)蝕刻要求自行試驗(yàn)時間，因模板紙不同，時間也不同），揭去模板紙，用清水沖掉殘物。(2).用100-200T的絲網(wǎng)，75度硬度的聚酯刮膠，將光固化抗蝕刻油墨印...

推薦的，所述制備裝置主體的兩端緊密貼合有防燙隔膜。推薦的，所述高效攪拌裝置是由內(nèi)部頂部中間部位的旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤，內(nèi)部頂部兩側(cè)的震蕩彈簧件，震蕩彈簧件頂端的運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組頂端的控制面板，內(nèi)部中間部位的致密防腐桿和致密防腐桿內(nèi)部內(nèi)側(cè)的攪動孔共同組合而成。推薦的，所述注入量精確調(diào)配裝置是由鹽酸裝罐內(nèi)部一側(cè)的嵌入引流口，嵌入引流口一端的負(fù)壓引流器，負(fù)壓引流器一端的注入量控制容器，注入量控制容器內(nèi)部內(nèi)側(cè)的注入量觀察刻度線和注入量控制容器一側(cè)的限流銷共同組合而成。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本種實(shí)用新型的有益效果是:1.通過設(shè)置高效攪拌裝置，該裝置通過運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組驅(qū)動旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤，使旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤帶動高效攪...

12、伸縮桿；13、圓環(huán)塊；14、連接桿；15、回流管；16、增壓泵；17、一號排液管；18、一號電磁閥；19、抽氣泵；20、排氣管；21、集氣箱；22、二號排液管；23、二號電磁閥；24、傾斜板；25、活動板；26、蓄水箱；27、進(jìn)水管；28、抽水管；29、三號電磁閥；30、控制面板。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請參閱圖1-5，本發(fā)明提供一種技術(shù)方...

該宣泄孔121的上孔徑a1與下孔徑a2亦不相等，且該上孔徑a1小于該下孔徑a2，或該宣泄孔121由該第二擋板12的下表面122朝向上表面123的方向漸縮，以維持毛細(xì)現(xiàn)象而避免該藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題。當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板(本圖式未標(biāo)示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會往該復(fù)數(shù)個宣泄孔121流動，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖10與圖11所示)，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的顯影不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸...

注入量精確調(diào)配裝置通過嵌入引流口2接入鹽酸裝罐7進(jìn)行原料注入，工作人員通過負(fù)壓引流器21將鹽酸硝酸引向注入量控制容器18內(nèi)，通過觀察注入量控制容器18內(nèi)的注入量觀察刻度線19對注入量進(jìn)行精確控制，當(dāng)?shù)竭_(dá)設(shè)定的注入量時將限流銷20插入進(jìn)行限流即可，很好的對注入量進(jìn)行精確控制，提高了該裝置的制備純度。工作原理：首先，通過設(shè)置熱水流入漏斗9，工作人員可沿著熱水流入漏斗9將熱水緩緩倒入鹽酸內(nèi)，從而很好的減小了發(fā)生反應(yīng)的劇烈程度，很好的起到了保護(hù)作用。然后，通過設(shè)置加固支架10，加固支架10為連接在兩側(cè)底座支柱的三角結(jié)構(gòu)，利用三角結(jié)構(gòu)穩(wěn)定原理對裝置底座5起到了很好的加固效果。接著，通過設(shè)置防燙隔...

以帶動該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動。該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41，以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42，其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設(shè)有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請一并參閱圖8與圖9所示，為本實(shí)用新型蝕...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：1、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明：在0~82g/L時，蝕刻時間長；在82~120g/L時，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時，蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定；在165~225g/L時，溶液不穩(wěn)定，趨向于產(chǎn)生沉淀。2、氯化銨含量的影響：通過蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出：[Cu（NH3）2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu（NH3）2]+得不到再生，蝕刻速率就會降低，以致失去蝕刻能力。所以，氯化銨的含量對蝕刻速率...

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異?，F(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險等主要優(yōu)勢。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程；由上述的說明，擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程，故仍舊會有少量的藥液51噴灑...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯(lián)劑本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯(lián)劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時使用。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以，更推薦滿足。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦按照蝕刻液組合物的蝕刻程度(etchingamount，e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦為選自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate)、雙(三...

很好的對注入量進(jìn)行精確控制，提高了該裝置的制備純度。附圖說明圖1為本實(shí)用新型的整體示意圖；圖2為本實(shí)用新型的a處放大示意圖；圖3為本實(shí)用新型的b處放大示意圖；圖4為本實(shí)用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中：1、制備裝置主體，2、高效攪拌裝置，3、過濾除雜裝置，4、翻折觀察板，401、觀察窗翻折滾輪，402、內(nèi)嵌觀察窗，5、裝置底座，6、成品罐，7、鹽酸裝罐，8、硝酸裝罐，9、熱水流入漏斗，10、加固支架，11、防燙隔膜，12、旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤，13、運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，14、震蕩彈簧件，15、控制面板，16、致密防腐桿，17、攪動孔，18、注入量控制容器，19、注入量觀察刻度線，20、限...

圖7：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)運(yùn)作局部放大圖。圖8：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖9：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖10：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其二較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖11：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其三較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖12：本實(shí)用新型擋液板結(jié)構(gòu)其二較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖13：本實(shí)用新型蝕刻方法的步驟流程圖。圖號說明：傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)a擋液板結(jié)構(gòu)b風(fēng)刀c氣體本實(shí)用新型1蝕刻設(shè)備10擋液板結(jié)構(gòu)11***擋板12第二擋板121宣泄孔1211**...

為本實(shí)用新型擋液板結(jié)構(gòu)其二較佳實(shí)施例的宣泄孔排列示意圖，以及其三較佳實(shí)施例的宣泄孔排列示意圖，在本實(shí)用新型其二較佳實(shí)施例中，開設(shè)于該第二擋板12上的宣泄孔121亦呈千鳥排列的直通孔態(tài)樣，且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離，例如：圖4中所示的w1，其中w1大于圖3的w或圖5的w2，其中w2大于w，而該宣泄孔121的一孔徑a0亦小于3mm，以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象，若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時，則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面，但仍舊可以提供空氣宣泄的管道，以借由該宣泄孔121平衡該第二擋板12上、下二端部的壓力。此外，請參閱圖6與圖7所示...

且過濾部件能將內(nèi)部的過濾板進(jìn)行拆卸更換，有效的提高了裝置連接安裝的便利性。2.高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，連接構(gòu)件，連接構(gòu)件設(shè)置在攪拌倉的底部，連接構(gòu)件與攪拌倉固定連接，連接構(gòu)件能將裝置主體內(nèi)部的兩個構(gòu)件進(jìn)行連接并固定，且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或拆卸的時候，不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作，有效的提高了裝置連接的實(shí)用性。附圖說明圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的過濾部件剖視圖；圖3為本實(shí)用新型的連接構(gòu)件剖視圖；圖4為本實(shí)用新型的內(nèi)部構(gòu)件連接框架圖。圖中：1、裝置主體，2、支撐腿，3、電源線，4、單片機(jī)，5、控制器，6、防滑紋，7、密封閥門(z45x-16...

通過滑動蓋24上的凸塊在過濾部件9內(nèi)部頂端內(nèi)壁的滑槽進(jìn)行滑動，將過濾板26插入過濾部件9內(nèi)部兩側(cè)的固定槽內(nèi)，收縮彈簧管25設(shè)置有四處，分別設(shè)置在兩滑動蓋24的內(nèi)側(cè)前面和后面，再通過收縮彈簧管25的彈力將滑動蓋24向內(nèi)活動，使過濾部件9內(nèi)部空間進(jìn)行密封，有效的提高了裝置連接安裝的便利性。推薦的，連接構(gòu)件11設(shè)置有十四個，連接構(gòu)件11設(shè)置在攪拌倉23的底部，連接構(gòu)件11與攪拌倉23固定連接，連接構(gòu)件11能將裝置主體1內(nèi)部的兩個構(gòu)件進(jìn)行連接并固定，且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或拆卸的時候，不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作，在將兩構(gòu)件的連接管放在連接構(gòu)件11的兩端，再通過連接管與連接構(gòu)件11內(nèi)...