SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的...

電源電路放置優(yōu)先處理開關電源模塊布局，并按器件資料要求設計。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個管腳共用同一過孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優(yōu)先把電源、地進行合并，且合并的管腳不能超過2個，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤或者8角焊盤：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，04...

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體的情況可以根據(jù)仿真確定。SDRAM的PCB布局布線要求1、對于數(shù)據(jù)信號，如果32bit位寬數(shù)據(jù)總線中的低16位數(shù)據(jù)信號掛接其它如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，SDRAM作為接收器即寫進程時，首先要保證SDRAM接收端的信號完整性，將SDRAM芯片放置在信號鏈路的遠端，對于地址及控制信號的也應該如此處理。2...

工藝方面注意事項（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時鐘電路放置。常見模塊布局參考5典型電路設計指導。在PCB設計中如何繪制結構特殊區(qū)域及拼板？孝感高速PCB設計規(guī)范布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號流...

關鍵信號布線（1）射頻信號：優(yōu)先在器件面走線并進行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。（2）中頻、低頻信號：優(yōu)先與器件走在同一面并進行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號不要進入中頻、低頻信號布線區(qū)域。（3）時鐘信號：時鐘走線長度＞500Mil時必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時鐘頻率≥100M時在換層處增加回流地過孔。（4）高速信號：5G以上的高速串行信號需同時在過孔處增加回流地過孔。如何梳理PCB設計布局模塊框圖？孝感高效PCB設計走線ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大...

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見接口模塊：常用外設接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號流向?qū)⒏鹘涌谀K電路靠近其所對應的接口擺放，采用“先防護后濾波”的思路擺放接口保護器件，常用接口模塊參考5典型電路設計指導。（2）電源接口模塊：根據(jù)信號流向依次擺放保險絲、穩(wěn)壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿足載流要求。高低電壓區(qū)域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設計到DRAM芯片內(nèi)部，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓撲結構較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因為數(shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內(nèi)部終結電阻的開關狀態(tài)。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內(nèi)部的終結電阻，讀操作時，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關閉芯片內(nèi)部的終結電阻。OD...

DDR與SDRAM信號的不同之處，1、DDR的數(shù)據(jù)信號與地址\控制信號是參考不同的時鐘信號，數(shù)據(jù)信號參考DQS選通信號，地址\控制信號參考CK\CK#差分時鐘信號；而SDRAM信號的數(shù)據(jù)、地址、控制信號是參考同一個時鐘信號。2、數(shù)據(jù)信號參考的時鐘信號即DQS信號是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號的上升沿和下降沿都可以觸發(fā)和鎖存數(shù)據(jù)，而SDRAM的時鐘信號只有在上升沿有效，相對而言DDR的數(shù)據(jù)速率翻倍。3、DDR的數(shù)據(jù)信號通常分成幾組，如每8位數(shù)據(jù)信號加一位選通信號DQS組成一組，同一組的數(shù)據(jù)信號參考相同組里的選通信號。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數(shù)據(jù)信號與選通信號分成多組，同組...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的...

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體的情況可以根據(jù)仿真確定。SDRAM的PCB布局布線要求1、對于數(shù)據(jù)信號，如果32bit位寬數(shù)據(jù)總線中的低16位數(shù)據(jù)信號掛接其它如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，SDRAM作為接收器即寫進程時，首先要保證SDRAM接收端的信號完整性，將SDRAM芯片放置在信號鏈路的遠端，對于地址及控制信號的也應該如此處理。2...

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯數(shù)字構成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標出管腳號（6）對于二極管正極標注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認正極對應的管腳號（接高電壓），然后在PCB中，找到對應的管腳，將正極極性標識放在對應的管腳旁邊7）穩(wěn)壓二級管是利用pn結反向擊穿狀態(tài)制成的二極管。所以正極標注放在接低電壓的管腳處。PCB設計中存儲器有哪些分類？黃石高速PCB設計怎么樣繪制結構特殊區(qū)域及拼板（1）設置允許布局區(qū)域：回流焊傳送邊的寬度要求為5...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調(diào)整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調(diào)整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。PCB設計布局中光口的要...

FPGA管換注意事項，首先和客戶確認是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導入更改之后再調(diào)整管腳，管換的一般原則如下，在調(diào)整時應嚴格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調(diào)整，I/O管腳、Input管腳或者Output管腳可調(diào)整。（2）FPGA的同一BANK的供電電壓相同，如果兩個Bank電壓不同，則I/O管腳不能交換；如果電壓相同，應優(yōu)先考慮在同一BANK內(nèi)交換，其次在BANK間交換。（3）對于全局時鐘管腳，只能在全局時鐘管腳間進行調(diào)整，并與客戶進行確認。（4）差分信號對要關聯(lián)起來成對調(diào)整，成對調(diào)整，不能單根調(diào)整，即N和N調(diào)整，P和P調(diào)整...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發(fā)射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發(fā)射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射...

規(guī)則設置子流程：層疊設置→物理規(guī)則設置→間距規(guī)則設置→差分線規(guī)則設置→特殊區(qū)域規(guī)則設置→時序規(guī)則設置◆層疊設置：根據(jù)《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息，在PCB上進行對應的規(guī)則設置?！粑锢硪?guī)則設置（1）所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻抗信息，非阻抗線外層6Mil,內(nèi)層5Mil。（2）電源/地線：線寬>=15Mil。（3）整板過孔種類≤2,且過孔孔環(huán)≥4Mil，Via直徑與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，板厚孔徑比滿足制造工廠或客戶要求，過孔設置按《PCBLayout工藝參數(shù)》要求?！糸g距規(guī)則設置：根據(jù)《PCBLayout工藝參數(shù)》中的間距要求設置間距規(guī)則，阻抗線距...

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導體和接地平面構成。微帶線的結構如下圖中的圖1所示它是由導體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構成的傳輸線。微帶線是由介質(zhì)基片，接地平板和導體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質(zhì)基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無線設備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當在電磁發(fā)射源和需要保護的電路之間插入一高導電性金屬時，該金屬會反射和吸收部分輻...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發(fā)射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射...

等長線處理等長線處理的步驟：檢查規(guī)則設置→確定組內(nèi)長線段→等長線處理→鎖定等長線。（1）檢查組內(nèi)等長規(guī)則設置并確定組內(nèi)基準線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡走線間距S≥3W，差分對蛇形線同網(wǎng)絡走線間距≥20Mil。（3）差分線對內(nèi)等長優(yōu)先在不匹配端做補償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對內(nèi)間距，長度＞3倍差分線寬，（4）差分線對內(nèi)≤3.125G等長誤差≤5mil，＞3.125G等長誤差≤2mil。（5）DDR同組等長：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶有要求或...

Gerber輸出Gerber輸出前重新導入網(wǎng)表，保證終原理圖與PCB網(wǎng)表一致，確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新，根據(jù)《PCBLayout檢查表》進行自檢后，進行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設置、操作、檢查子流程步驟如下：Gerber參數(shù)設置→生成Gerber文件→IPC網(wǎng)表自檢。（1）光繪格式RS274X，原點位置設置合理，光繪單位設置為英制，精度5:5（AD精度2:5）。（2）光繪各層種類齊全、每層內(nèi)容選擇正確，鉆孔表放置合理。（3）層名命名正確，前綴統(tǒng)一為布線層ART,電源層PWR，地層GND，與《PCB加工工藝要求說明書》保持一致。（4）檢查D...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

繪制結構特殊區(qū)域及拼板（1）設置允許布局區(qū)域：回流焊傳送邊的寬度要求為5mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件；一般使用板框長邊用作回流焊傳送邊；短邊內(nèi)縮默認2mm，不小于1mm；如短邊作為傳送邊時，寬長比＞2:3；傳送邊進板方向不允許有缺口；傳送邊中間有缺口時長度不超過傳送邊1/3。特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務資料及要求》要求進行，并記錄到《項目設計溝通記錄表》中。（2）設置允許布線區(qū)域：允許布線區(qū)域為從板框邊緣內(nèi)縮默認40Mil，不小于20Mil；特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務資料及要求》要求進行，并記錄到《項目設計溝通記錄》中。（3）螺釘孔禁布區(qū)域由器件焊盤單邊向外擴大1mm，...

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，...

工藝方面注意事項（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時鐘電路放置。常見模塊布局參考5典型電路設計指導。關鍵信號的布線應該遵循哪些基本原則？湖北常規(guī)PCB設計規(guī)范電源電路放置優(yōu)先處理開關電源模塊布局，并按器件資料要求設計。...

工藝方面注意事項（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時鐘電路放置。常見模塊布局參考5典型電路設計指導。京曉科技教您如何設計PCB。咸寧設計PCB設計規(guī)范SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統(tǒng)時鐘驅(qū)動的，SDRAM所...

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯數(shù)字構成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標出管腳號（6）對于二極管正極標注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認正極對應的管腳號（接高電壓），然后在PCB中，找到對應的管腳，將正極極性標識放在對應的管腳旁邊7）穩(wěn)壓二級管是利用pn結反向擊穿狀態(tài)制成的二極管。所以正極標注放在接低電壓的管腳處。PCB設計中PCI-E接口通用設計要求有哪些？宜昌什么是PCB設計布局通過規(guī)范PCBLayout服務操作要求，提升PCBLay...

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓撲建議采用對稱的Y型結構，分支端靠近信號的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號拓撲結構的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時鐘線（遠端分支結構）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓撲結構，布局時串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時要考慮差分線對內(nèi)的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳...

SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步：是指時鐘與數(shù)據(jù)同時在兩個芯片之間間傳輸，不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號滿足一定的時序匹配關系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。2、外同步：由外部時鐘給系統(tǒng)提供參考時鐘，數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個時鐘，一個鎖存發(fā)送數(shù)據(jù)，一個鎖存接收數(shù)據(jù)，在一個時鐘周期內(nèi)完成，對于SDRAM及其控制芯片，參考時鐘CLK1、CLK2由外部時鐘驅(qū)動產(chǎn)生，此...

工藝、層疊和阻抗信息確認（1）與客戶確認阻抗類型，常見阻抗類型如下：常規(guī)阻抗：單端50歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業(yè)務資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說明書》，基于以下幾點進行說明：信號層夾在電源層和地層之間時,信號層靠近地層。差分間距≤2倍線寬。相鄰信號層間距拉大。阻抗線所在的層號。（3）檢查《PCB加工工藝要求說明書》信息是否有遺漏，錯誤，核對無誤后再與客戶進行確認。什么是模擬電源和數(shù)字電源？湖北專業(yè)...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...