無錫質(zhì)量電子元器件設計標準

磁敏二極管/整流二極管發(fā)光二極管/激光二極管變?nèi)荻O管/檢波二極管其他二極管三極管三極管在中文含義里面只是對三個腳的放大器件的統(tǒng)稱，我們常說的三極管，可能有多種器件?？梢钥吹?，雖然都叫三極管，其實在英文里面的說法是千差萬別的，三極管這個詞匯其實也是中文特有的一個象形意義上的的詞匯電子三極管Triode這個是英漢字典里面“三極管”這個詞匯的英文翻譯，這是和電子三極管**早出現(xiàn)有關(guān)系的，所以先入為主，也是真正意義上的三極管這個詞**初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三極管的東西，實際翻譯的時候是***不可以翻譯成Triode的，否則就麻煩大咯。電子元器件電子元器件嚴謹?shù)恼f，在英文里面根本就沒有三個腳的管子這樣一個詞匯。高反壓三極管/達林頓三極管；無錫質(zhì)量電子元器件設計標準

組合電路集成電路是一種采用特殊工藝，將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文縮寫為IC，也俗稱芯片。模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來處理模擬信號的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運算放大器、比較器、對數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、基準源電路、開關(guān)電容電路等。模擬集成電路設計主要是通過有經(jīng)驗的設計師進行手動的電路調(diào)試、模擬而得到，與此相對應的數(shù)字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產(chǎn)生。南京工程電子元器件常見問題光敏晶體管/低頻放大三極管；

繼電器電子元器件電子元器件繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應用于自動控制電路中，它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。汽車繼電器/信號繼電器固態(tài)繼電器/中間繼電器電磁類繼電器/干簧式繼電器濕簧式繼電器/熱繼電器步進繼電器/大功率繼電器磁保持繼電器/極化繼電器溫度繼電器/真空繼電器時間繼電器/混合電子繼電器延時繼電器/其他繼電器

汽車繼電器/信號繼電器固態(tài)繼電器/中間繼電器電磁類繼電器/干簧式繼電器濕簧式繼電器/熱繼電器步進繼電器/大功率繼電器磁保持繼電器/極化繼電器溫度繼電器/真空繼電器時間繼電器/混合電子繼電器延時繼電器/其他繼電器二極管電阻電阻半導體二極管又稱晶體二極管，簡稱二極管(diode)；它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種由有一個PN結(jié)加上相應的電極引線及管殼封裝而成。開關(guān)二極管/普通二極管穩(wěn)壓二極管/肖特基二極管雙向觸發(fā)二極管/快恢復二極管光電二極管/阻尼二極管磁敏二極管/整流二極管發(fā)光二極管/激光二極管變?nèi)荻O管/檢波二極管發(fā)光二極管/激光二極管；

電容電容在電路中一般用"C"加數(shù)字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容的容量大小表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號的頻率和電容量有關(guān)。電感電子元器件電子元器件電感器在電子制作中雖然使用得不是很多，但它們在電路中同樣重要。我們認為電感器和電容器一樣，也是一種儲能元件，它能把電能轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌瞿埽⒃诖艌鲋袃Υ婺芰?。電感器用符號L表示，它的基本單位是亨利（H），常用毫亨（mH）為單位。它經(jīng)常和電容器一起工作，構(gòu)成LC濾波器、LC振蕩器等。另外，人們還利用電感的特性，制造了阻流圈、變壓器、繼電器等。開關(guān)晶體管 / 閘流晶體管；南通挑選電子元器件行價

變?nèi)荻O管 /檢波二極管；無錫質(zhì)量電子元器件設計標準

1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關(guān)。1947年，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點不穩(wěn)定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發(fā)成功的同時，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年，具有使用價值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長技術(shù)和擴散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導體工業(yè)。無錫質(zhì)量電子元器件設計標準

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