導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系:山東可控硅模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的器強(qiáng)大電流有直接關(guān)系,模塊的標(biāo)稱電流是強(qiáng)大導(dǎo)通角時能輸出的強(qiáng)大電流。在小導(dǎo)通角(輸出電壓與輸入電壓比值很小)下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實(shí)際值?。?,但是輸出電流的有效值很大,半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,山東可控硅模塊應(yīng)選擇在強(qiáng)大導(dǎo)通角的65%以上工作,及控制電壓應(yīng)在5V以上。淄博正高電氣有限公司敢于承擔(dān)、克難攻堅。臨沂反并聯(lián)可控硅模塊
可控硅模塊又叫晶閘管,自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等?,F(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極:首層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。廣西小功率可控硅模塊哪家好淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命,傾力為客戶創(chuàng)造更大利益!
可控硅鑒別三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以判斷出來。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。
控制極與陰極之間是一個P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。
可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域
可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合,如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等,根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護(hù)功能。
可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),自上個世紀(jì)六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門**的學(xué)科。
可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司以誠信為根本,以質(zhì)量服務(wù)求生存。
雙向可控硅晶閘管使用中,應(yīng)特別注意以下事項(xiàng):
1.靈敏度
雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。
2.可控硅過載的保護(hù)
可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:
(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,否則控制極將不起作用;
(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取;
(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護(hù)措施,一般對過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),當(dāng)在交流側(cè)時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。
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斷一個可控硅元件是否完好,工程師需要從四個方面進(jìn)行檢查,首先是判斷該元件的三個PN結(jié)應(yīng)完好,其次是當(dāng)陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導(dǎo)通,第三是當(dāng)控制極開路時,陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通,第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時,可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個條件的可控硅元件,才是符合設(shè)計使用要求的。
想要看一個可控硅元件是否符合以上要求,其實(shí)非常簡單,只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,就可對**個方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,此可控硅不能使用了。 臨沂反并聯(lián)可控硅模塊
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