過流與短路保護(hù)是兩個概念，它們既有聯(lián)系也有區(qū)別。過流大多數(shù)是指某種原因引起的負(fù)載過載；短路是指橋臂直通，或主電壓經(jīng)過開關(guān)IGBT的無負(fù)載回路，它們的保護(hù)方法也有一定區(qū)別。如過流保護(hù)常用電流檢也傳感器，短路保護(hù)常通過檢測IGBT飽和壓降，配合驅(qū)動電路來實現(xiàn)。不同的功率有不同的方法來實現(xiàn)過流或短路保護(hù)。由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅(qū)動電壓電流，設(shè)置結(jié)電容釋放 回路等）。但是為了防止關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通，因為一個橋臂未完全關(guān)斷，而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài)，直通炸模塊后后果非常嚴(yán)重（的結(jié)果是過 熱）。選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。igbt與mos管的區(qū)別
IGBT模塊是下游產(chǎn)品中的關(guān)鍵部件，其性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性和可靠性對下游客戶來說至關(guān)重要，因此認(rèn)證周期較長，替換成本高。對于新增的IGBT供應(yīng)商，客戶往往會保持謹(jǐn)慎態(tài)度，不僅會綜合評定供應(yīng)商的實力，而且通常要經(jīng)過產(chǎn)品單體測試、整機(jī)測試、多次小批量試用等多個環(huán)節(jié)之后，才會做出大批量采購決策，采購決策周期較長。因此，新進(jìn)入本行業(yè)者即使研發(fā)生產(chǎn)出IGBT產(chǎn)品，也需要耗費(fèi)較長時間才能贏得客戶的認(rèn)可。目前國內(nèi)具有相關(guān)實踐、經(jīng)驗豐富的研發(fā)技術(shù)人才仍然比較缺乏，新進(jìn)入的企業(yè)要想熟練掌握IGBT芯片或模塊的設(shè)計、制造工藝，實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，需要花費(fèi)較長的時間培養(yǎng)人才、學(xué)習(xí)探索及技術(shù)積累。IGBT驅(qū)動板通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。
對于小功率IGBT模塊，通常采用直接串電阻的方法來檢測器件輸出電流，從而判斷過電流故障，通過電阻檢測時，無延遲；輸出電路簡單；成本低；但檢測電路與主電路不隔離，檢測電阻上有功耗，因此，只適合小功率IGBT模塊。比如：5.5KW以下的變頻器。對于率IGBT模塊的電流檢測與過流、短路保護(hù)，一種方法是仍然采用電阻檢測法，為了降低電阻產(chǎn)生功耗及發(fā)熱生產(chǎn)的影響，可把帶散熱器件的取樣電阻固定在散熱器上，以測量更大的電流。對于大、率IGBT模塊的電流檢測與過流保護(hù)常采用電流傳感器。但需注意要選擇滿足響應(yīng)速度要求的電流傳感器。由于需要配置檢測電源，成本較高，但檢測電路與主電路隔離，適用于大功率的IGBT模塊。保護(hù)電路動作的時間須在10us之內(nèi)完成。
功率分立器件的演進(jìn)路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的全控-電壓驅(qū)動的功率半導(dǎo)體，IGBT既有MOSFET的開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件，也被譽(yù)為“電力電子器件里的CPU”。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。
過流與短路保護(hù)是兩個概念，它們既有聯(lián)系也有區(qū)別。過流大多數(shù)是指某種原因引起的負(fù)載過載；短路是指橋臂直通，或主電壓經(jīng)過開關(guān)IGBT的無負(fù)載回路，它們的保護(hù)方法也有一定區(qū)別。如過流保護(hù)常用電流檢也傳感器，短路保護(hù)常通過檢測IGBT飽和壓降，配合驅(qū)動電路來實現(xiàn)。不同的功率有不同的方法來實現(xiàn)過流或短路保護(hù)。由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅(qū)動電壓電流，設(shè)置結(jié)電容釋放 回路等）。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。IGBT中頻電源
功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關(guān)重要的作用。igbt與mos管的區(qū)別
IGBT 既可控制信號的導(dǎo)通、也可控制信號的關(guān)斷，是典型的全控型功率半導(dǎo)體器件，目前，以 IGBT 為的全控型功率半導(dǎo)體器件在工作頻率、工作電壓和信號控制性等方面的性能出眾，正逐步發(fā)展為率半導(dǎo)體器件的主流應(yīng)用形態(tài)。新能源汽車中的功率半導(dǎo)體價值量提升十分，根據(jù)英飛凌的數(shù)據(jù)，新能源中汽車功率半導(dǎo)體器件的價值量約為傳統(tǒng)燃油車的5倍以上。其中，IGBT約占新能源汽車電控系統(tǒng)成本的37%，是電控系統(tǒng)中的電子器件之一，因此，未來新能源汽車市場的快速增長，有望帶動以IGBT為的功率半導(dǎo)體器件的價值量提升，從而有力推動IGBT市場的發(fā)展。igbt與mos管的區(qū)別
上海萱鴻電子科技有限公司是一家專業(yè)制造整流二極管，可控硅，整流橋，模塊以及出口型二極管，可控硅。銷售，原裝進(jìn)口的IR（美國國際整流器）/VISHAY(威士），SEMIKRON（西門康），MITSUBISHI（三菱），INFINEON（英飛凌）,SANREX(三社），IXYS(艾克塞斯），NELL(尼爾），F(xiàn)UJU(富士），WESTCODE（西瑪），TOSHIBA（東芝），等國際**品牌的整流管，可控硅，整流橋，模塊，IGBT系類的公司，是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。公司自創(chuàng)立以來，投身于IGBT模塊 ，二極管模塊，整流橋模塊 ，晶閘管模塊，是電子元器件的主力軍。上海萱鴻電子致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產(chǎn)品上的貼心，為用戶帶來良好體驗。上海萱鴻電子始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時代，對自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使上海萱鴻電子在行業(yè)的從容而自信。