IGBT驅(qū)動(dòng)器

從功能上來(lái)說，IGBT就是一個(gè)電路開關(guān)，優(yōu)點(diǎn)就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級(jí)、電流幾十到幾百安量級(jí)的強(qiáng)電上的。而且IGBT不用機(jī)械按鈕，它是由計(jì)算機(jī)控制的。所以有了IGBT這種開關(guān)，就可以設(shè)計(jì)出一類電路，通過計(jì)算機(jī)控制IGBT，把電源側(cè)的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負(fù)載使用。這類電路統(tǒng)稱變換器。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見

器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。IGBT驅(qū)動(dòng)器

過流與短路保護(hù)是兩個(gè)概念，它們既有聯(lián)系也有區(qū)別。過流大多數(shù)是指某種原因引起的負(fù)載過載；短路是指橋臂直通，或主電壓經(jīng)過開關(guān)IGBT的無(wú)負(fù)載回路，它們的保護(hù)方法也有一定區(qū)別。如過流保護(hù)常用電流檢也傳感器，短路保護(hù)常通過檢測(cè)IGBT飽和壓降，配合驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。不同的功率有不同的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)過流或短路保護(hù)。由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會(huì)造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅(qū)動(dòng)電壓電流，設(shè)置結(jié)電容釋放 回路等）。igbt逆變電路圖IGBT 是一種大功率電子電力元器件。

IGBT模塊是下游產(chǎn)品中的關(guān)鍵部件，其性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性和可靠性對(duì)下游客戶來(lái)說至關(guān)重要，因此認(rèn)證周期較長(zhǎng)，替換成本高。對(duì)于新增的IGBT供應(yīng)商，客戶往往會(huì)保持謹(jǐn)慎態(tài)度，不僅會(huì)綜合評(píng)定供應(yīng)商的實(shí)力，而且通常要經(jīng)過產(chǎn)品單體測(cè)試、整機(jī)測(cè)試、多次小批量試用等多個(gè)環(huán)節(jié)之后，才會(huì)做出大批量采購(gòu)決策，采購(gòu)決策周期較長(zhǎng)。因此，新進(jìn)入本行業(yè)者即使研發(fā)生產(chǎn)出IGBT產(chǎn)品，也需要耗費(fèi)較長(zhǎng)時(shí)間才能贏得客戶的認(rèn)可。目前國(guó)內(nèi)具有相關(guān)實(shí)踐、經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)技術(shù)人才仍然比較缺乏，新進(jìn)入的企業(yè)要想熟練掌握IGBT芯片或模塊的設(shè)計(jì)、制造工藝，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，需要花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間培養(yǎng)人才、學(xué)習(xí)探索及技術(shù)積累。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作。

IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極的應(yīng)用。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進(jìn)展。電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用。IGBT驅(qū)動(dòng)電路

GBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件。IGBT驅(qū)動(dòng)器

從20 世紀(jì)80 年代至今，IGBT 芯片經(jīng)歷了5-6 代產(chǎn)品升級(jí)，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場(chǎng)—截止型（FS-Trench），各方面指標(biāo)都得到了不斷的優(yōu)化。芯片面積縮小為初的四分之一，工藝線寬從5微米降到0.5微米，通態(tài)飽和壓降從3伏降到1伏，關(guān)斷時(shí)間也更快，從0.5微秒降到0.15微秒，功率損耗也更低，斷態(tài)電壓也從600V 提高到了6500V 以上。IGBT的開關(guān)頻率越高，開關(guān)次數(shù)就越多，損耗功率就也高，那乘以散熱器的熱阻后，IGBT的溫升也越高，如果溫度高到超出了IGBT的上限，那IGBT就失效了。IGBT驅(qū)動(dòng)器

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