真空鍍膜:電阻加熱蒸發(fā)法:電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬,做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源,其上裝入待蒸發(fā)材料,讓電流通過(guò),對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā),或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠,可用...
磁控濺射技術(shù)是一門起源較早,但至今仍能夠發(fā)揮很大作用的技術(shù)。它的優(yōu)越性不只體現(xiàn)在鍍膜方面,更滲透到各個(gè)行業(yè)領(lǐng)域。時(shí)至如今,我國(guó)的濺射技術(shù)水平較之以前有了很大的突破。隨著時(shí)代進(jìn)步和現(xiàn)代工業(yè)化生產(chǎn)需求,社會(huì)對(duì)磁控濺射工藝的要求也越來(lái)越高,這就需要廣大科研人員不斷深...
半導(dǎo)體器件通常利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu),已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極,晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一般是有源器件,典型表示是各種晶體管(又稱晶體三極管)。晶體管又可以分為雙極...
熱處理是簡(jiǎn)單地將晶圓加熱和冷卻來(lái)達(dá)到特定結(jié)果的工藝。在熱處理的過(guò)程中,晶圓上沒(méi)有增加或減去任何物質(zhì),另外會(huì)有一些污染物和水汽從晶圓上蒸發(fā)。在離子注入工藝后會(huì)有一步重要的熱處理。摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會(huì)被熱處理修復(fù),這稱為退火,溫度一般在1000℃左右。...
真空鍍膜:離子鍍:離子鍍基本原理是在真空條件下,采用某種等離子體電離技術(shù),使鍍料原子部分電離成離子,同時(shí)產(chǎn)生許多高能量的中性原子,在被鍍基體上加負(fù)偏壓。這樣在深度負(fù)偏壓的作用下,離子沉積于基體表面形成薄膜。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電,使鍍料(如金屬鈦)氣化蒸...
磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射,同時(shí)使用多個(gè)靶電源和不同靶材,例如TiW合金,通過(guò)單獨(dú)調(diào)整Ti、W的濺射速率,同時(shí)開(kāi)始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計(jì),對(duì)不同材料的速率進(jìn)行調(diào)節(jié),即能滿足不同組分的要求.磁控濺射由于其內(nèi)部電場(chǎng)的存在,還可在襯底...
磁控直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過(guò)程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料,不適于絕緣材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí),表面的離子電荷無(wú)法中和,這將導(dǎo)致靶面電位升高,外加電壓幾乎都加在靶上,兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小,甚至不能...
原子層沉積技術(shù)憑借其獨(dú)特的表面化學(xué)生長(zhǎng)原理、亞納米膜厚的精確控制性以及適合復(fù)雜三維高深寬比表面沉積,自截止生長(zhǎng)等特點(diǎn),特別適合薄層薄膜材料的制備。例如:S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸鹽(ODPA)對(duì)Cu的選擇性吸附,在預(yù)先吸附有ODPA分子的襯底表面進(jìn)...
磁控濺射技術(shù)是近年來(lái)新興的一種材料表面鍍膜技術(shù),該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了金屬、絕緣體等多種材料的表面鍍膜,具有高速、低溫、低損傷的特點(diǎn).利用磁控濺射技術(shù)進(jìn)行超細(xì)粉體的表面鍍膜處理,不但能有效提高超細(xì)粉體的分散性,大幅度提高鍍層與粉體之間的結(jié)合力,還能賦予超細(xì)粉體的新的特異...
單晶圓清洗取代批量清洗是先進(jìn)制程的主流,單晶圓清洗通常采用單晶圓清洗設(shè)備,采用噴霧或聲波結(jié)合化學(xué)試劑對(duì)單晶圓進(jìn)行清洗。單晶圓清洗首先能夠在整個(gè)制造周期提供更好的工藝控制,即改善了單個(gè)晶圓和不同晶圓間的均勻性,這提高了良率;其次更大尺寸的晶圓和更緊縮的制程設(shè)計(jì)對(duì)...
影響磁控濺射鍍膜結(jié)果的因素:1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數(shù)的選擇對(duì)于涂層生長(zhǎng)速率和涂層質(zhì)量都有很大的影響.其中濺射功率的設(shè)定對(duì)這兩方面都有極大的影響.2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進(jìn)行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體...
基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu),受光學(xué)衍射的極限,適用于微米以上尺度的微細(xì)結(jié)構(gòu)制作,部分優(yōu)化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力。例如,接觸式光刻的分辨率可能到達(dá)0.5μm,采用深紫外曝光光源可能實(shí)現(xiàn)0.1μm。但利用這種光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)宏觀面...
當(dāng)微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域,就形成了新興的納米光電子技術(shù),主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過(guò)去的十多年里,一方面,以低維結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展,包括分子束外延(MBE)、...
微納加工技術(shù)是先進(jìn)制造的重要組成部分,是衡量國(guó)家高級(jí)制造業(yè)水平的標(biāo)志之一,具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點(diǎn),在推動(dòng)科技進(jìn)步、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動(dòng)科技進(jìn)步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種。很顯然,...
磁控濺射由于其優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨增長(zhǎng),成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一,相應(yīng)的濺射技術(shù)與也取得了進(jìn)一步的發(fā)展。非平衡磁控濺射改善了沉積室內(nèi)等離子體的分布,提高了膜層質(zhì)量;中頻和脈沖磁控濺射可有效避免反應(yīng)濺射時(shí)的遲滯現(xiàn)象,消除靶中毒和打弧問(wèn)題,提高制備化合物薄膜的穩(wěn)定...
磁控濺射靶材鍍膜過(guò)程中,影響靶材鍍膜沉積速率的因素:濺射電壓:濺射電壓對(duì)成膜速率的影響有這樣一個(gè)規(guī)律:電壓越高,濺射速率越快,而且這種影響在濺射沉積所需的能量范圍內(nèi)是緩和的、漸進(jìn)的。在影響濺射系數(shù)的因素中,在濺射靶材和濺射氣體之后,放電電壓確實(shí)很重要。一般來(lái)說(shuō)...
PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣,這些鋼瓶被放置在有許多安全保護(hù)裝置的氣柜中,通過(guò)氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時(shí),反應(yīng)氣體的多少會(huì)影響淀積的速率及其均勻性等,因此需要嚴(yán)格控制氣體流量,通常采用質(zhì)量流量計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)精確控制。P...
蝕刻是芯片生產(chǎn)過(guò)程中重要操作,也是芯片工業(yè)中的重頭技術(shù)。蝕刻技術(shù)把對(duì)光的應(yīng)用推向了極限。蝕刻使用的是波長(zhǎng)很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長(zhǎng)的光將透過(guò)這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上,使之曝光。接下來(lái)停止光照并移除遮罩,使用特定的化學(xué)溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕...
真空鍍膜:隨著沉積方法和技術(shù)的提升,物理的氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。物理的氣相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用,但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù),并向著環(huán)保型、清潔型趨勢(shì)發(fā)展。在鐘表行業(yè),...
真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應(yīng)沉積鍍膜,實(shí)際上,真空磁控濺射鍍膜這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。此外,該工藝也特別適合用于多層膜結(jié)構(gòu)的沉積,包括了光學(xué)設(shè)計(jì)、彩色膜、耐磨涂層、納米層壓板、超晶格鍍膜、絕緣膜等。早在1970年,已經(jīng)有了高質(zhì)...
真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn):1、沉積速率大:由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過(guò)程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用。2、功率效率高:磁控濺射靶一般選擇200V-10...
影響磁控濺射鍍膜結(jié)果的因素:1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數(shù)的選擇對(duì)于涂層生長(zhǎng)速率和涂層質(zhì)量都有很大的影響.其中濺射功率的設(shè)定對(duì)這兩方面都有極大的影響.2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進(jìn)行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體...
磁控濺射靶材的應(yīng)用領(lǐng)域:眾所周知,靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān),隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn),靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。如Ic制造商.近段時(shí)間致力于低電阻率銅布線的開(kāi)發(fā),預(yù)計(jì)未來(lái)幾年將大幅度取代原來(lái)的鋁膜,這樣銅靶及其...
磁控濺射的工藝研究:1、磁場(chǎng):用來(lái)捕獲二次電子的磁場(chǎng)必須在整個(gè)靶面上保持一致,而且磁場(chǎng)強(qiáng)度應(yīng)當(dāng)合適。磁場(chǎng)不均勻就會(huì)產(chǎn)生不均勻的膜層。磁場(chǎng)強(qiáng)度如果不適當(dāng),那么即使磁場(chǎng)強(qiáng)度一致也會(huì)導(dǎo)致膜層沉積速率低下,而且可能在螺栓頭處發(fā)生濺射。這就會(huì)使膜層受到污染。如果磁場(chǎng)強(qiáng)度...
磁控濺射屬于輝光放電范疇,利用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜。膜層粒子來(lái)源于輝光放電中,氬離子對(duì)陰極靶材產(chǎn)生的陰極濺射作用。氬離子將靶材原子濺射下來(lái)后,沉積到元件表面形成所需膜層。磁控原理就是采用正交電磁場(chǎng)的特殊分布控制電場(chǎng)中的電子運(yùn)動(dòng)軌跡,使得電子在正交電磁場(chǎng)中變成了...
一種半導(dǎo)體器件加工設(shè)備,其結(jié)構(gòu)包括伺貼承接裝置,活動(dòng)機(jī)架,上珩板,封裝機(jī)頭,扣接片,電源線,機(jī)臺(tái),伺貼承接裝置活動(dòng)安裝在機(jī)臺(tái)上,電源線與封裝機(jī)頭電連接,上珩板與活動(dòng)機(jī)架相焊接,封裝機(jī)頭通過(guò)扣接片固定安裝在上珩板上,本發(fā)明能夠通過(guò)機(jī)臺(tái)內(nèi)部的小功率抽吸機(jī)在持續(xù)對(duì)抽...
磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下,在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而...
磁控濺射靶材的分類:根據(jù)材料的成分不同,靶材可分為金屬靶材、合金靶材、無(wú)機(jī)非金屬靶材等。其中無(wú)機(jī)非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類靶材。根據(jù)幾何形狀的不同,靶材可分為長(zhǎng)(正)方體形靶材、圓柱體靶材和不規(guī)則形狀靶材;此外,靶材還可以分為實(shí)...
電子束蒸發(fā)是基于鎢絲的蒸發(fā)。大約 5 到 10 kV 的電流通過(guò)鎢絲(位于沉積區(qū)域外以避免污染)并將其加熱到發(fā)生電子熱離子發(fā)射的點(diǎn)。使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導(dǎo)向蒸發(fā)材料(放置在坩堝中)。在電子束撞擊蒸發(fā)丸表面的過(guò)程中,其動(dòng)能轉(zhuǎn)化為熱量,釋放出高能量(每平...
磁控濺射的基本原理就是以磁場(chǎng)改變電子運(yùn)動(dòng)方向,束縛和延長(zhǎng)運(yùn)動(dòng)路徑,提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此在形成高密度等離子體的異常輝光放電中,正離子對(duì)靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效,同時(shí)受正交電磁場(chǎng)的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時(shí)才能沉積在基片上...