1.杭州瑞陽微電子代理了眾多**品牌,如杭州士蘭微、上海貝嶺、無錫新潔能、吉林華微、深圳必易微、深圳中微、華大半導(dǎo)體、南京微盟、深圳美浦森、中國臺灣UTC、中國臺灣十速、上海晟矽微、杭州友旺等。2.這些品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域各具優(yōu)勢,擁有先進(jìn)的技術(shù)和***的產(chǎn)品...
信號處理領(lǐng)域 憑借寄生電容低、開關(guān)頻率高的特點(diǎn),在射頻放大器中,作為**組件放大高頻信號,同時(shí)保持信號的低噪聲特性,為通信系統(tǒng)的發(fā)射端和接收端提供清晰、穩(wěn)定的信號支持,保障無線通信的順暢。 在混頻器和調(diào)制器中,用于信號的頻率轉(zhuǎn)換,憑借高開關(guān)速度...
什么是MOS管? 它利用電場來控制電流的流動,在柵極上施加電壓,可以改變溝道的導(dǎo)電性,從而控制漏極和源極之間的電流,就像是一個(gè)電流的“智能閥門”,通過電壓信號精細(xì)調(diào)控電流的通斷與大小。 MOS管,全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-...
杭州士蘭微電子(SILAN)作為國內(nèi)**的半導(dǎo)體企業(yè),在MOS管領(lǐng)域擁有豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)積累,以下從產(chǎn)品類型、技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用場景三方面梳理其MOS管業(yè)務(wù):一、**產(chǎn)品線:覆蓋高低壓、多結(jié)構(gòu)高壓MOSFET(400V-900V)F-Cell系列:第四代平面結(jié)構(gòu)...
**優(yōu)勢 1.高效節(jié)能,降低損耗低壓MOS管:導(dǎo)通電阻低至1mΩ(如AOSAON6512,30V/1.4mΩ),適合高頻開關(guān),減少發(fā)熱(應(yīng)用于小米212W充電寶,提升轉(zhuǎn)換效率至95%+)。高壓超結(jié)MOS:優(yōu)化電場分布,開關(guān)速度提升30%(如士蘭微SV...
附于其上的電極稱之為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)疆界形成。在漏、源之間的P型區(qū)(包括P+和P一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱做亞溝道區(qū)(Subchannelregion)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)叫作漏注入?yún)^(qū)(Draininjector),它是IGBT特有的功能區(qū)...
中國功率半導(dǎo)體士蘭微電子成立于1997年,是中國少數(shù)具備IDM(設(shè)計(jì)-制造-封裝一體化)能力的綜合性半導(dǎo)體企業(yè),專注于功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器、模擬電路等**領(lǐng)域。公司擁有5/6/8/12英寸晶圓生產(chǎn)線,并布局SiC(碳化硅)芯片產(chǎn)線,技術(shù)覆蓋從...
三、技術(shù)演進(jìn)趨勢芯片工藝微溝槽柵技術(shù):導(dǎo)通電阻降低15%薄晶圓加工:厚度<70μm(1200V器件)封裝創(chuàng)新DSC雙面冷卻:熱阻降低40%.XT互聯(lián)技術(shù):功率循環(huán)能力提升5倍材料突破SiC混合模塊:開關(guān)損耗減少30%鋁線鍵合→銅線鍵合:熱疲勞壽命提升10倍...
什么是MOS管? 它利用電場來控制電流的流動,在柵極上施加電壓,可以改變溝道的導(dǎo)電性,從而控制漏極和源極之間的電流,就像是一個(gè)電流的“智能閥門”,通過電壓信號精細(xì)調(diào)控電流的通斷與大小。 MOS管,全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-...
杭州士蘭微電子(SILAN)作為國內(nèi)**的半導(dǎo)體企業(yè),在 MOS 管領(lǐng)域擁有豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)積累 士蘭微 MOS 管以高壓、高可靠性為**,傳統(tǒng)領(lǐng)域(消費(fèi)、家電)持續(xù)深耕,新興領(lǐng)域(SiC、車規(guī))加速突破。2025 年 SiC 產(chǎn)線落地后,其在新能...
IGBT 有四層結(jié)構(gòu),P-N-P-N,包括發(fā)射極、柵極、集電極。柵極通過絕緣層(二氧化硅)與溝道隔離,這是 MOSFET 的部分,控制輸入阻抗高。然后內(nèi)部有一個(gè) P 型層,形成雙極結(jié)構(gòu),這是 BJT 的部分,允許大電流 工作原理,分三個(gè)狀態(tài):截止、飽...
**優(yōu)勢 1.高效節(jié)能,降低損耗低壓MOS管:導(dǎo)通電阻低至1mΩ(如AOSAON6512,30V/1.4mΩ),適合高頻開關(guān),減少發(fā)熱(應(yīng)用于小米212W充電寶,提升轉(zhuǎn)換效率至95%+)。高壓超結(jié)MOS:優(yōu)化電場分布,開關(guān)速度提升30%(如士蘭微SV...
士蘭微IGBT芯片及模塊在以下高增長領(lǐng)域表現(xiàn)突出,適配代理渠道多元化需求:新能源汽車主驅(qū)逆變器:采用1200V/750VIGBT模塊(如SGM820PB8B3TFM),支持高功率密度與快速開關(guān),適配物流車、乘用車及電動大巴211。車載充電(OBC)...
行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢國產(chǎn)化進(jìn)程加速國內(nèi)廠商如士蘭微、芯導(dǎo)科技已突破1200V/200A芯片技術(shù),車規(guī)級模塊通過認(rèn)證,逐步替代英飛凌、三菱等國際品牌410。芯導(dǎo)科技2024年?duì)I收3.53億元,重點(diǎn)開發(fā)650V/1200V IGBT芯片,并布局第三代半導(dǎo)體(GaN ...
MOS管的“場景適配哲學(xué)”從納米級芯片到兆瓦級電站,MOS管的價(jià)值在于用電壓精細(xì)雕刻電流”:在消費(fèi)電子中省電,在汽車中耐受極端工況,在工業(yè)里平衡效率與成本。隨著第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)的普及,2025年MOS管的應(yīng)用邊界將繼續(xù)擴(kuò)展——從AR眼鏡的微瓦...
應(yīng)用場景與案例 1.消費(fèi)電子——快充與電池管理手機(jī)/筆記本快充:低壓NMOS(如AOSAON6220,100V/5.1mΩ)用于同步整流,支持65W氮化鎵快充(綠聯(lián)、品勝等品牌采用)。鋰電池保護(hù):雙PMOS(如AOSAO4805,-30V/15mΩ)...
杭州瑞陽微電子代理品牌-吉林華微。 華微IGBT器件已滲透多個(gè)高增長市場,具體應(yīng)用包括:新能源汽車主驅(qū)逆變器:用于驅(qū)動電機(jī),支持750V/1200V電壓平臺,適配乘用車、物流車及大巴78;車載充電(OBC):集成SiC技術(shù),充電效率達(dá)95%以上,已批...
MOS 管應(yīng)用場景全解析:從微瓦到兆瓦的 “能效心臟“ 作為電壓控制型器件,MOS 管憑借低損耗、高頻率、易集成的特性,已滲透至電子產(chǎn)業(yè)全領(lǐng)域。以下基于 2025 年主流技術(shù)與場景,深度拆解其應(yīng)用邏輯: 工業(yè)控制:高效能的“自動化引擎”伺服與變...
信號處理領(lǐng)域 憑借寄生電容低、開關(guān)頻率高的特點(diǎn),在射頻放大器中,作為**組件放大高頻信號,同時(shí)保持信號的低噪聲特性,為通信系統(tǒng)的發(fā)射端和接收端提供清晰、穩(wěn)定的信號支持,保障無線通信的順暢。 在混頻器和調(diào)制器中,用于信號的頻率轉(zhuǎn)換,憑借高開關(guān)速度...
IGBT,全稱絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一種全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。它巧妙地將雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的優(yōu)勢融合在一起,從而...
PM(智能功率模塊)的電磁兼容性確實(shí)會受到外部干擾的影響。以下是對這一觀點(diǎn)的詳細(xì)解釋: 一、電磁兼容性的定義電磁兼容性(EMC)是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁*擾的能力。簡單來說,就是設(shè)備既能正常工作,...
IPM(智能功率模塊)的欠壓保護(hù)確實(shí)支持電壓檢測功能。IPM是一種集成了驅(qū)動和保護(hù)電路的高性能功率模塊,廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。其內(nèi)置的欠壓保護(hù)功能是為了確保在電源電壓不足時(shí),能夠自動關(guān)閉IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的柵極驅(qū)動電路,從而保護(hù)模塊免...
MOS管的“場景適配哲學(xué)”從納米級芯片到兆瓦級電站,MOS管的價(jià)值在于用電壓精細(xì)雕刻電流”:在消費(fèi)電子中省電,在汽車中耐受極端工況,在工業(yè)里平衡效率與成本。隨著第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)的普及,2025年MOS管的應(yīng)用邊界將繼續(xù)擴(kuò)展——從AR眼鏡的微瓦...
注意事項(xiàng)測試環(huán)境:電磁兼容性測試應(yīng)在專業(yè)的電磁兼容性測試實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行,以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。測試實(shí)驗(yàn)室應(yīng)滿足相應(yīng)的測試標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的要求,具備必要的測試設(shè)備和測試環(huán)境。測試方法:應(yīng)根據(jù)具體的測試標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范選擇合適的測試方法,并嚴(yán)格按照測試方法進(jìn)行測試。在...
IPM(智能功率模塊)的散熱系統(tǒng)確實(shí)可以支持智能溫控功能。在許多低功率電機(jī)驅(qū)動中使用的智能功率模塊被封裝在結(jié)合了高熱效率和小外形尺寸的高級封裝中。 由于模塊通常旨在無需散熱器即可運(yùn)行,因此PCB走線提供的熱散發(fā)對功率等級和可靠性有關(guān)鍵影響。為了實(shí)現(xiàn)更...
電流檢測原理IPM模塊內(nèi)部通常集成了電流傳感器,用于實(shí)時(shí)監(jiān)測流過IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的電流。當(dāng)電流值超過預(yù)設(shè)的過流閾值時(shí),過流保護(hù)機(jī)制會被觸發(fā)。過流保護(hù)機(jī)制IPM的過流保護(hù)機(jī)制是通過監(jiān)測IGBT的電流來實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)檢測到電流異常升高時(shí),保護(hù)機(jī)制會立即采...
保護(hù)閾值的設(shè)定方法查閱技術(shù)規(guī)格書:用戶可以通過查閱IPM模塊的技術(shù)規(guī)格書來獲取過熱保護(hù)的推薦閾值。 規(guī)格書中通常會詳細(xì)列出模塊的工作溫度范圍、最大允許工作溫度以及過熱保護(hù)的觸發(fā)條件等信息。 與制造商溝通:如果用戶無法從規(guī)格書中獲取足夠的信息,或...
一、多重保護(hù)功能概述IPM內(nèi)部集成了多種保護(hù)電路,這些保護(hù)電路能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測功率器件(如IGBT或MOSFET)的工作狀態(tài)。 一旦檢測到異常情況,保護(hù)電路會立即采取措施切斷電源或調(diào)整工作狀態(tài),以保護(hù)模塊和整個(gè)系統(tǒng)不受損害。這種智能化的保護(hù)功能**提高了...
在IPM(智能功率模塊)模塊品牌中,要確定哪個(gè)品牌“比較好”并非易事,因?yàn)檫@取決于多種因素,包括應(yīng)用需求、性能指標(biāo)、價(jià)格、品牌信譽(yù)以及售后服務(wù)等。以下是對一些**品牌的分析,以幫助您做出更明智的選擇:三菱(MITSUBISHI):三菱是電子和電氣產(chǎn)品領(lǐng)域的**...
IPM(智能功率模塊)的欠壓保護(hù)確實(shí)支持電壓檢測功能。以下是關(guān)于IPM欠壓保護(hù)中電壓檢測功能的詳細(xì)解釋:一、電壓檢測功能概述IPM模塊內(nèi)置的欠壓保護(hù)電路能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測控制電源電壓。這種監(jiān)測是通過內(nèi)部的電壓檢測電路實(shí)現(xiàn)的,該電路能夠精確地測量電源電壓的數(shù)值,并...