產(chǎn)品中心
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以N溝道MOS管為例，當(dāng)柵極與源極之間電壓為零時，漏極和源極之間不導(dǎo)通，相當(dāng)于開路；當(dāng)柵極與源極之間電壓為正且超過一定界限時，漏極和源極...
**分類（按功能與場景）： 增強型（常閉型）NMOS：柵壓正偏導(dǎo)通，適合高電流場景（如65W快充同步整流）PMOS：柵壓負(fù)偏導(dǎo)通，...
IGBT 有四層結(jié)構(gòu)，P-N-P-N，包括發(fā)射極、柵極、集電極。柵極通過絕緣層（二氧化硅）與溝道隔離，這是 MOSFET 的部分，控制輸...
士蘭微IGBT芯片及模塊在以下高增長領(lǐng)域表現(xiàn)突出，適配代理渠道多元化需求：新能源汽車主驅(qū)逆變器：采用1200V/750VIGBT...
杭州瑞陽微電子有限公司是專業(yè)從事集成電路設(shè)計，銷售及應(yīng)用服務(wù)的私營有限責(zé)任公司，由國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)資質(zhì)深厚團(tuán)隊組建而成，主創(chuàng)人員都具有十年以上的行業(yè)從業(yè)經(jīng)歷，公司主營產(chǎn)品為模擬功放電路、運算放大電路、線性電源電路等一百多個產(chǎn)品規(guī)格，應(yīng)用于音響、電源、數(shù)碼產(chǎn)品、小家電、儀器儀表、工業(yè)控制領(lǐng)域。
