以N溝道MOS管為例,當(dāng)柵極與源極之間電壓為零時,漏極和源極之間不導(dǎo)通,相當(dāng)于開路;當(dāng)柵極與源極之間電壓為正且超過一定界限時,漏極和源極...
**分類(按功能與場景): 增強型(常閉型)NMOS:柵壓正偏導(dǎo)通,適合高電流場景(如65W快充同步整流)PMOS:柵壓負(fù)偏導(dǎo)通,...
IGBT 有四層結(jié)構(gòu),P-N-P-N,包括發(fā)射極、柵極、集電極。柵極通過絕緣層(二氧化硅)與溝道隔離,這是 MOSFET 的部分,控制輸...
士蘭微IGBT芯片及模塊在以下高增長領(lǐng)域表現(xiàn)突出,適配代理渠道多元化需求:新能源汽車主驅(qū)逆變器:采用1200V/750VIGBT...
杭州瑞陽微電子有限公司是專業(yè)從事集成電路設(shè)計,銷售及應(yīng)用服務(wù)的私營有限責(zé)任公司,由國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)資質(zhì)深厚團(tuán)隊組建而成,主創(chuàng)人員都具有十年以上的行業(yè)從業(yè)經(jīng)歷,公司主營產(chǎn)品為模擬功放電路、運算放大電路、線性電源電路等一百多個產(chǎn)品規(guī)格,應(yīng)用于音響、電源、數(shù)碼產(chǎn)品、小家電、儀器儀表、工業(yè)控制領(lǐng)域。