四硅電容通過創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，具備諸多優(yōu)勢。在結(jié)構(gòu)上，四硅電容采用四個(gè)硅基單元構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)，這種獨(dú)特設(shè)計(jì)增加了電容的有效面積，從而提高了電容值。同...
GPUQRNG和AIQRNG帶來了創(chuàng)新的應(yīng)用。GPUQRNG利用圖形處理器（GPU）的強(qiáng)大并行計(jì)算能力，實(shí)現(xiàn)高速的隨機(jī)數(shù)生成。GPU具有大量...
光通訊硅電容在光通信領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用，助力光通信技術(shù)的不斷發(fā)展。在光通信系統(tǒng)中，信號的傳輸和處理需要高精度的電子元件支持。光通訊硅電容可用...
高溫硅電容在極端環(huán)境下展現(xiàn)出卓著的可靠性。在一些高溫工業(yè)場景，如鋼鐵冶煉、航空航天等領(lǐng)域，普通電容無法承受高溫而失效，而高溫硅電容則能正常工...
蘇州凌存科技有限公司（以下簡稱凌存科技）成立于2021年12月，坐落于美麗的陽澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司，并在該領(lǐng)域處于先進(jìn)的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專利授權(quán)20項(xiàng)，涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外，公司已申請國家發(fā)明專利15項(xiàng)。目前，凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)的流片，性能指標(biāo)處于先進(jìn)地位。 公司擁有一支國際化團(tuán)隊(duì)，成員來自中國大陸，美國，中國臺灣，日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國突破“卡脖子”技術(shù)，旨在開發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲芯片---電壓控制磁存儲器(MeRAM)芯片，磁性真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片。
