無(wú)錫循環(huán)測(cè)試電壓傳感器

采用Qt做上位機(jī)軟件的開(kāi)發(fā)，具有優(yōu)良的跨平臺(tái)特性，支持多種操作系統(tǒng)。Qt提供了豐富的API，良好的圖形界面和開(kāi)放式編程，用戶完全自定義的測(cè)試系統(tǒng)功能模塊。可以看到在自動(dòng)測(cè)試領(lǐng)域?qū)Σ捎肗I的LabVIEW虛擬儀器技術(shù)對(duì)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行開(kāi)發(fā)，搭配不同的檢測(cè)設(shè)備或不同功能的采集卡，上位機(jī)主要發(fā)揮控制及結(jié)果顯示的功能，其主要工作重點(diǎn)主要放在多設(shè)備融合控制、對(duì)設(shè)備接口及軟件的設(shè)計(jì)。設(shè)備的檢測(cè)精度主要依賴于硬件自身的精度，并且設(shè)備成本高、維護(hù)困難，更新迭代成本高。其他的可以產(chǎn)生幅度調(diào)制、脈沖寬度調(diào)制或頻率調(diào)制輸出。無(wú)錫循環(huán)測(cè)試電壓傳感器

削去原有電源系統(tǒng)紋波的補(bǔ)償方案有三種：注入、吸收、少則注入多則吸收。是單方向的向磁體注入電流，填補(bǔ)紋波，將整體的電流修正到紋波很低的水平。從磁體中吸收電流，是削波的方式將紋波中和得到紋波更小的電流。前兩種方案的綜合，將高于設(shè)定值得電流吸收、低于設(shè)定值的電流則進(jìn)行補(bǔ)償，電流的供應(yīng)室雙向的，即積存在注入也存在吸收。由于磁體電源系統(tǒng)中三套電源是各自**向磁體供電的，所以補(bǔ)償電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)業(yè)可以**進(jìn)行。由上述補(bǔ)償方案可見(jiàn)，補(bǔ)償電源只需要補(bǔ)償原供電系統(tǒng)中紋波部分，所以補(bǔ)償電源容量較小，可以直接從電網(wǎng)中取電進(jìn)行AC/DC變換。補(bǔ)償電路原理圖如圖2-3所示B1為三相工頻整流橋，C0為儲(chǔ)能電容器，B2為IGBT逆變橋，TM為高頻變壓器，B3為高頻整流橋。Lf和Cf構(gòu)成輸出濾波器，Cp為補(bǔ)償電容，Lp為濾波電感，DCCT為高精度零磁通電流傳感器?；葜荽磐ㄩT(mén)電壓傳感器生產(chǎn)廠家該補(bǔ)償線圈產(chǎn)生的磁通與原邊電流產(chǎn)生的磁通大小相等。

對(duì)于前端儲(chǔ)能電容還需要考慮的參數(shù)是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲(chǔ)能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)的。我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，也有很多可供選擇的電力半導(dǎo)體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點(diǎn)以及**適合應(yīng)用場(chǎng)合。例如MOSFET開(kāi)關(guān)頻率高，動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度快，但其電流容量相對(duì)小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場(chǎng)合[13][14]。門(mén)級(jí)可關(guān)斷晶閘管具有自關(guān)斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場(chǎng)合。IGBT的性能相對(duì)來(lái)說(shuō)是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實(shí)驗(yàn)中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開(kāi)關(guān)管。

采用雙電源供電，為M57962芯片搭建比較簡(jiǎn)單的外圍電路后，正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓為+15V和-9V，可以使IGBT可靠通斷。并且M57962內(nèi)部集成了短路和過(guò)電流保護(hù)，內(nèi)部保護(hù)電路監(jiān)測(cè)IGBT的飽和壓降來(lái)判斷是否過(guò)流，當(dāng)出現(xiàn)短路或過(guò)流時(shí)，M57962將***驅(qū)動(dòng)信號(hào)實(shí)施對(duì)IGBT的關(guān)斷，同時(shí)輸出故障信號(hào)。如圖為驅(qū)動(dòng)芯片M57962的驅(qū)動(dòng)效果，將輸入的高電平為5V、低電平為0V的電壓信號(hào)放大為高電平為15V，低電平為-9V的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。-9V的低電平確保了IGBT可靠關(guān)斷。傳感器是能夠感知或識(shí)別特定類型的電信號(hào)或光信號(hào)并對(duì)其作出反應(yīng)的裝置。

為了加強(qiáng)裝置的安全性，大都采用具有變壓器隔離的隔離型方案。從功率角度考慮，當(dāng)選用的功率開(kāi)關(guān)管的額定電壓和額定電流相同時(shí)，裝置的總功率通常和開(kāi)關(guān)管的個(gè)數(shù)呈正比例關(guān)系，故全橋變換器的功率是半橋變換器的2倍，適用于中大功率的場(chǎng)合?；谝陨峡紤]，本方案中補(bǔ)償裝置選用帶有變壓器隔離的全橋型直流變換器。借助于效率高、動(dòng)態(tài)性能好、線性度高等優(yōu)點(diǎn)，PWM（脈寬調(diào)制）技術(shù)在全橋變換器領(lǐng)域得到了廣發(fā)的關(guān)注和應(yīng)用，已經(jīng)成為了主流的控制技術(shù)。傳統(tǒng)的PWM直流變換器開(kāi)關(guān)管工作在硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)。在硬開(kāi)關(guān)的缺陷是很明顯的具體表現(xiàn)在：1）開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗隨著頻率的提高而增加；2）開(kāi)關(guān)管硬關(guān)斷時(shí)電流的突變會(huì)產(chǎn)生加在開(kāi)關(guān)管兩端的尖峰電壓，容易造成開(kāi)關(guān)管被擊穿；3）開(kāi)關(guān)管硬開(kāi)通時(shí)其自身結(jié)電容放電會(huì)產(chǎn)生沖擊電流造成開(kāi)關(guān)管的發(fā)熱。但其體積大，頻帶較窄，一般只能用于工頻或其它額定頻率測(cè)量，并且具有諧振和輸出不能短路等問(wèn)題。南京高精度電壓傳感器案例

我們知道一個(gè)電容器由兩個(gè)導(dǎo)體(或兩個(gè)板)組成。無(wú)錫循環(huán)測(cè)試電壓傳感器

圖3-6和圖3-7所示分別為輸出端電壓值和電壓紋波（圖中橫縱坐標(biāo)分別為時(shí)間和電壓），經(jīng)過(guò)PID閉環(huán)反饋后，輸出電壓值的紋波系數(shù)可達(dá)0.16%。因?yàn)楸痉抡鎸?shí)驗(yàn)中只加入了電壓?jiǎn)伍]環(huán)反饋，進(jìn)一步提高精度需要再在外環(huán)加入電流反饋環(huán)。仿真電路很好的驗(yàn)證了試驗(yàn)參數(shù)計(jì)算的正確性和合理性，在本電路的初步設(shè)計(jì)中可以按照仿真電路中參數(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)電路的搭建。傳統(tǒng)的控制技術(shù)多是以模擬電路為基礎(chǔ)的，其固有的缺陷是顯而易見(jiàn)的， 比如 電路本身復(fù)雜、模擬器件本身存在差異性、溫漂明顯、不可編程性?；谶@些固有 的缺點(diǎn)，數(shù)字化的控制技術(shù)優(yōu)勢(shì)便展現(xiàn)出來(lái)。無(wú)錫循環(huán)測(cè)試電壓傳感器