圖簡單地給出了晶閘管開通和關斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況;而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管,在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r(如圖中點劃線波形)。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關注的是晶閘管的開通時間t。由于晶閘管內部的正反饋過程以及外電路電感的限制,晶閘管受到觸發(fā)后,其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始,到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%(對于阻性負載相當于陽極電壓降到額定值的90%),這段時間稱為觸發(fā)延遲時間t。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時間(對于阻性負載相當于陽極電壓由90%降到10%)稱為上升時間t,開通時間t定義為兩者之和,即t=t+t通常晶閘管的開通時間與觸發(fā)脈沖的上升時間,脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關。[1]關斷過程處于導通狀態(tài)的晶閘管當外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r,由于外電路電感的存在,其陽極電流在衰減時存在過渡過程。陽極電流將逐步衰減到零,并在反方向流過反向恢復電流,經(jīng)過**大值I后,再反方向衰減。同時。晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結,可以把它中間的NP分成兩部分。河北優(yōu)勢晶閘管模塊哪家好
其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,其直徑為英寸,單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達到180kA/30us,**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A,觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開關所能承受的反向電壓較低,因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺,普通的晶閘管屬于半控型器件,通過門極(控制極)只能控制其開通而不能控制其關斷,導通后控制極即不再起作用,要關斷必須切斷電源,即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性,必須另外配以由電感、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路,從而使裝置體積增大,成本增加,而且系統(tǒng)更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構,開通損耗大,工作頻率難以提高,限制了其應用范圍。1970年代末,隨著可關斷晶閘管(GTO)日趨成熟,成功克服了普通晶閘管的缺陷,標志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件。北京進口晶閘管模塊因為它可以像閘門一樣控制電流,所以稱之為“晶體閘流管”。
晶閘管模塊需通過IEC 60747標準測試:1)高溫阻斷(150℃下施加80%額定電壓1000小時,漏電流<10mA);2)功率循環(huán)(ΔTj=100℃,次數(shù)>5萬次,熱阻變化<10%);3)濕度試驗(85℃/85%RH,1000小時,絕緣電阻>1GΩ)。主要失效模式包括:1)門極氧化層破裂(占故障35%),因觸發(fā)電流過沖導致;2)芯片邊緣電場集中引發(fā)放電,需優(yōu)化臺面造型和鈍化層(如Si?N?/SiO?復合層);3)壓接結構應力松弛,采用有限元分析(ANSYS)優(yōu)化接觸壓力分布。加速壽命模型(Coffin-Manson方程)預測模塊在5kA工況下的壽命超15年。
晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法。(1)按關閉、傳導和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管、反向晶閘管、門極關斷晶閘管、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。(B)在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。(三)按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管,晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的。其中,所述金屬包晶閘管被分成螺栓形,板形,圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無兩。(四)按電流容量分類晶閘管按電流進行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種。通常,大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝,而中、小功率通過晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝。(五)按關斷速度分類根據(jù)它們的普通晶閘管關斷晶閘管,并且可以被劃分為高頻(快)晶閘管。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱SCR,屬于功率器件領域,是一種功率半導體開關元件。SCR是它的縮寫。根據(jù)其工作特性,可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC)。可控硅也稱作一個晶閘管,它是由PNPN四層半導體材料構成的元件。讓輸出電壓變得可調,也屬于晶閘管的一個典型應用。
1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值,但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此,要求模塊應在較大導通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關電源,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源)。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。5、其它要求(1)當模塊控制變壓器負載時,如果變壓器空載。普通晶閘管(SCR)靠門極正信號觸發(fā)之后,撤掉信號亦能維持通態(tài)。廣西優(yōu)勢晶閘管模塊銷售
晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷,觸發(fā)導通,反向阻斷。河北優(yōu)勢晶閘管模塊哪家好
三相晶閘管觸發(fā)板是以高級工業(yè)級單片機為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板,并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。中文名三相晶閘管觸發(fā)板外文名Three-phasethyristortriggerboard適應適應不同性質負載電壓5V~380V目錄1三相晶閘管觸發(fā)板2種高性能PID方案?適用電路?正常使用條件?工作原理?技術參數(shù)3三相晶閘管觸發(fā)板應用技術三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板編輯使用靈活,安裝簡便。電源用變壓器,性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應交流5V~380V各種同步電壓。三相晶閘管觸發(fā)板種高性能PID方案編輯適應不同性質負載,控制精度高,動態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā),脈沖不對稱度≤°,用脈沖變壓器觸發(fā),脈沖前沿陡度≤。功能、參數(shù)設定采用按鍵操作,故障、報警、界面采用LED數(shù)碼管顯示,操作方便,顯示直觀。本控制板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量,無溫度漂移變化,運行穩(wěn)定、工作可靠。強抗干擾能力,采用獨特措施,惡劣干擾環(huán)境正常運行。通用性強,適用范圍寬,控制板適應任何主電路,任何性質負載。手動、自動;穩(wěn)流、穩(wěn)壓;電位器控制、儀表控制可任意選擇和切換。三相晶閘管數(shù)控板直接觸發(fā)六個10000A以內的晶閘管元件的設備,外接脈沖功放板。河北優(yōu)勢晶閘管模塊哪家好