MOS場效應(yīng)管,即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(較高可達(dá)1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,當(dāng)VGS=0時即形成溝道,加上正確的VGS時,能使多數(shù)載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉(zhuǎn)向截止。場效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍,可以用于高速通訊、計算機(jī)處理和控制系統(tǒng)中。源極場效應(yīng)管
場效應(yīng)管的作用:1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場效應(yīng)管的分類:場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管,而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。源極場效應(yīng)管場效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源,為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流,應(yīng)用于精密測量、激光器等領(lǐng)域。
場效應(yīng)管主要參數(shù):1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時場效應(yīng)管實踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。
MOSFET的特性和作用:MOS管導(dǎo)作用,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于SiO2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。目前在市場應(yīng)用方面,排名頭一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機(jī)主板、NB、計算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,隨著國情的發(fā)展計算機(jī)主板、計算機(jī)類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了。使用場效應(yīng)管時,需要注意柵極電壓的控制范圍,以避免損壞器件。
場效應(yīng)管與雙極型晶體管比,它的體積小,重量輕,壽命長等優(yōu)點,而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,噪聲低、熱穩(wěn)定性好(因為幾乎只利用多子導(dǎo)電)、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點,幾乎場效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場。有利就有弊,而場效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)(原因后續(xù)詳解)。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor,JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管),下面來具體來看這兩種管子。場效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識:名稱,場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor 縮寫(FET)),簡稱場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET-JFET),金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 (metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET),由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管,屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。與之對應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管,三極管(BJT),屬于電流控制型半導(dǎo)體器件。使用場效應(yīng)管時需要注意靜電放電問題,避免對器件造成損壞。中山金屬場效應(yīng)管參數(shù)
場效應(yīng)管具有放大作用,能將較小的輸入信號放大成較大的輸出信號,普遍應(yīng)用于音頻放大器、射頻放大器等。源極場效應(yīng)管
SOA失效的預(yù)防措施:1:確保在較差條件下,MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2:將OCP功能一定要做精確細(xì)致。在進(jìn)行OCP點設(shè)計時,一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多,然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電阻。有些有經(jīng)驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內(nèi)。但是此時有個更值得關(guān)注的參數(shù),那就是MOSFET的Td(off)。它到底有什么影響呢,我們看下面FLYBACK電流波形圖(圖形不是太清楚,十分抱歉,建議雙擊放大觀看)。電流波形在快到電流尖峰時,有個下跌,這個下跌點后又有一段的上升時間,這段時間其本質(zhì)就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關(guān)斷后,MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷,但是由于器件本身的關(guān)斷延遲,因此電流會有個二次上升平臺,如果二次上升平臺過大,那么在變壓器余量設(shè)計不足時,就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效。源極場效應(yīng)管